高精度源表IV测试MOS管电性能

       高精度源表IV测试MOS管电性能认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是首家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等；；

普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案，由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET场效应管为例，配套以下设备：

S型高精密源表测试三极管或者MOS管需要几台源表？搭建方案示意图？
       ①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间，一台加在集电极与发射极之间；MOS管测试时一台加在栅极与源极之间，一台加在漏极与源极之间；需要使用两台直流源表同步触发使用，或使用插卡式直流源表； 

      ②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V，基于最高性价比考虑，其中一台使用S100即可，另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定，普赛斯仪表推出的功率器件静态测试仪可精准测量MOSFET、BJT、IGBT等的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。