技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 2.35
• Ton(us) 0.8
• Toff(us) 1.0
• Rth(j-c),K/W 0.27
• Pc(W) 462
• 封装 L1
• 电路结构 7单元
特点:
• 采用新的第5代CSTBT™芯片
• 当检测CSTBT™表面温度时会采用过温保护
• 兼容L系列包
目标应用:
• 通用变频器
• 伺服驱动
• 电机控制