碳化硅肖特基二极管厂

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跟着碳化硅单晶、外延质量及碳化硅工艺水平不断地不断提高，越来越多性能优越的碳化硅肖特基二极管被报导。1993 年报导了第一只击穿电压超越 1000V的碳化硅肖特基二极管，该器材的肖特基触摸金属是 Pd，它选用 N 型外延的掺杂浓度1×10cm，厚度是 10μm。高质量的4H-SiC单晶的在 1995 年左右出现，它比6H-SiC的电子迁移率要高，临界击穿电场要大许多，这使得人们更倾向于研讨4H-SiC的肖特基二极管。

Ni/4H-SiC 肖特基二极管是在 1995年第一次被报导的，它选用的外延掺杂浓度为 1×1016 cm，厚度 10 μm，击穿电压到达 1000 V，在 100A/cm 时正向压降很低为 1.06 V，室温下比导通电阻很低，为 2×10 Ω·cm。2005 年 Tomonori Nakamura 等人用 Mo 做肖特基触摸，击穿电压为 4.15 KV，比触摸电阻为 9.07 mΩ·cm，而且跟着退火温度的升高，该肖特基二极管的势垒高度也升高，在 600 ℃的退火温度下，其势垒高度为 1.21 eV，而抱负因子很安稳，跟着退火温度的升高抱负因子没有多少改变。 J. H. Zhao 选用 N 型碳化硅外延，用多级结终端扩展技能制作出击穿电压高达10.8 KV Ni/4H-SiC 肖特基二极管，外延的掺杂浓度为 5.6×10cm，厚度为115μm，此肖特基二极管使用多级结终端扩展技能来维护肖特基结边际以避免它提早击穿。

国内的 SiC 功率器材研讨方面由于遭到 SiC 单晶资料和外延设备的限制起步比较晚，可是却紧紧跟踪国外碳化硅器材的发展形势。十分重视碳化硅资料及其器材的研讨， 在的大力支持下经现已开始形成了研讨 SiC 晶体生长、SiC器材设计和制作的队伍。电子科技大学致力于器材结构设计方面，在新结构、器材结终端和器材击穿机理方面做了许多的作业，而且提出宽禁带半导体器材优值理论和宽禁带半导体功率双极型晶体管特性理论。

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