IRF640-MOS管-场效应管

　　IRF640-MOS管-场效应管-MOSFET
　　
　　概述
　　场效应晶体管（Field　Effect　Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10＾8～10＾9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　
　　产品特性
　　热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
　　
　　主要参数
　　漏-源电压BVDSS≥200V　漏极电流ID≥18A　导通电阻RDS≤0.18ohm
　　
　　封装形式
　　TO-220
　　
　　包装方式
　　管装
　　
　　应用领域
　　电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等