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面向移动基站发射器的GaN器件为5G铺平道路

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-09-12  

在氮化镓对SiC RF功率晶体管系列器件均在欧洲微波周2015年推出,在巴黎举行。
 
据英飞凌,以及改善基础设施建设,以支持目前的蜂窝网络的经济性,他们铺平道路,以更高的数据量过渡到5G技术。
 
RF功率晶体管实现更高的10%的效率和LDMOS晶体管今天常用的五倍功率密度,声称该公司。这意味着,以更小的空间和功耗要求基站发射器目前使用的功率放大器,其无论是在1.8至2.2或2.3至2.7GHz的频率范围内工作。
 
它们具有的LDMOS的射频带宽的两倍,从而使一个功率放大器可支持多个工作频率。他们还增加了瞬时带宽可用于发射器,它可以让运营商提供采用了4.5G蜂窝网络中指定的数据聚合技术更高的日期。
 
工程样片和参考设计是根据保密协议提供给客户。
该公司还表示,未来的SiC器件的GaN支持5G蜂窝频段高达6GHz的。
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