新模块让系统设计者能够实现重量更轻的系统，其效率超过98%，与利用硅基技术构建的系统相比，其尺寸小67％之多，电源密度高10倍。
与传统的硅IGBT电源模块，甚至上一代SiC MOSFET模块相比，最新模块也能为体积和重量是关键限制条件的应用大幅提高电源密度。
在不牺牲系统效率的前提下以更高的开关频率运行意味着，平衡系统所需的磁性和无源元件的数量和尺寸会减小。SiC器件的热特性，加之封装设计和材料，使该模块能够在175℃的温度下运行，适于工业、航空航天和汽车应用。
据Wolfspeed介绍，竞争电源产品的电感为15nH，而该模块的电感为5.5nH，比它低66%，从而实现了更快的开关速度、频率更高的运行和超低损耗。
配套的栅极驱动器（CGD15HB62LP）设计与该模块融合，以便安装在62mm安装空间内。同时还提供包含模块和栅极驱动器的工程评估套件，这样设计工程师就可以轻松测试该器件在其系统中的性能。
Wolfspeed将在纽伦堡国际电力电子展览会（PCIM Europe）9号馆242展台安排公司代表回答与该模块及相关栅极驱动器有关的问题。
