今天发布的650V高速体二极管MOSFET基于E系列超结技术，反向恢复电荷（Qrr）比标准MOSFET低10倍。这样，这些器件就能更快速地阻断击穿电压，有助于避免击穿和热过载引发的故障，提高零电压开关（ZVS）/软开关拓扑的可靠性，例如相移电桥、LLC转换器和三级逆变器。
21A SiHx21N65EF提供5种封装选项，而28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF则别提供2种封装选项。这些器件分别具有低至157mΩ、102mΩ和95mΩ的低导通电阻，以及超低栅极电荷。这些数值意味着传导和开关损耗极低，从而能够为大功率高性能开关模式应用节约能量，包括太阳能逆变器，服务器和电信电源系统，ATX/Silver box PC SMPS，焊接设备，UPS，电池充电器，外部电动汽车（EV）充电站和LED、高强度放电（HID）与荧光镇流器照明。
这些器件旨在承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些MOSFET符合RoHS指令，无卤素。
器件规格表：
|
产品编号 |
RDS(ON) (m) @ 10V（最大值） |
Qg (nC) |
ID (A) |
Qrr (C) @ |
封装 |
|
SiHA21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
细引线TO-220 FullPAK |
|
SiHB21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
D2PAK (TO-263) |
|
SiHG21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-247AC |
|
SiHH21N65EF |
157 |
68 |
21 |
0.9 |
PowerPAK [(R)] 8x8 |
|
SiHP21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-220AB |
|
SiHG28N65EF |
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-247AC |
|
SiHP28N65EF |
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-220AB |
|
SiHG33N65EF |
95 |
114 |
33 |
1.18 |
TO-247AC |
现已开始供应新型650V EF系列MOSFET的样品，并已投入量产，大宗订单的交货周期为16~18周。
