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2016－2020年全球功率晶体管市场复合年增长率5．49％
发布日期：2016-03-04
都柏林 - （美国商业资讯） - 研究与市场日前宣布，他们除了提供“全球功率晶体管市场2016年至2020年”的报告。
全球功率晶体管市场在2016-2020年期间以5.49％的复合年增长率增长。
全球功率晶体管市场2016- 2020年，一直立足于与行业专家的投入在深入的市场分析准备。该报告涵盖了市场景观和未来几年的增长前景。该报告还包括在这个市场操作主要供应商的讨论。
对可再生能源的转变，节约用电，加速了可再生能源系统的使用功率晶体管。在太阳能发电系统和电动汽车的使用氮化镓半导体可以节省相当大的权力。
根据该报告，功率晶体管的最大的优点是它们的小尺寸，因为它允许他们在几乎任何电子设备中使用。全球芯片制造商如英特尔和台积电正在开展研发活动，这将导致萎缩了一半甚至更多的晶体管。芯片制造商正在不断地寻找减少晶体管的尺寸，以便它们可以在整个产品使用具有更小的外形。
此外，报告指出，在终端用户市场的周期性需求变化和行业范围内的电源波动在预测期内会对市场的增长的严峻挑战。
要计算的市场规模，该报告认为，从销售以下功率晶体管产生的收入：
- 低电压FET的
- 绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块
- 射频或微波晶体管
- 高电压场效应晶体管
- IGBT晶体管
- 其他，包括双极达林顿和
