2015年全球非易失性存储器(NVM)新兴技术与市场趋势报告
发布日期:2015-08-13
日前宣布加入的“新兴非易失性存储器(NVM)技术与市场趋势报告”报告他们的产品。
“新兴非易失性存储器(NVM)技术与市场趋势报告”
在过去的两年中,新兴的复杂非易失性存储器(NVM)的情况已经大大简化。
在2014年,美光,主相变存储器(PCM)启动的独立内存,停止积极推销PCM芯片以下销售目标萎缩的入门级手机市场的崩溃。与此同时,美光开发了一种电阻式随机存取存储器(RRAM或ReRAM的)芯片与索尼,其包括导电性桥的RAM(CBRAM)的技术类的一部分。
在16 GB的美光,索尼RRAM具有在新兴NVM技术商业化密度最高。因此,我们认为PCM现在退赛的独立内存。对于嵌入式微控制器单元(MCU)的应用程序2015年将是一个关键的一年,意法半导体在这个市场的主要PCM启动,将选择PCM是否将继续留在它的路线图。
因此新兴的NVM报告集中在两个最有前途的技术:RRAM和磁阻RAM(MRAM)。 MRAM的最有吸引力的类别是自旋转移矩磁阻RAM(STTMRAM),其提供更高的可扩展性/密度。一个主要的选择标准存储器是芯片的可扩展性/密度,因为这会影响性能和成本。该Yole报告提供了技术节点,芯片密度和定价方面准确记忆的路线图。
目标报告:
•介绍了半导体存储器市场的概况
•提供新兴的NVM应用的理解:
•介绍市场预测新兴NVM业务:
•描述新兴技术的NVM
•描述和分析竞争格局