ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET，实现更环保、更安全的电源应用

中国，2015年11月9日——意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmesh^TM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。

新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。

意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水平，单位面积同态电阻（R_ds(on)）和栅电荷量（Q_g）均创市场最低，并拥有业界最佳的FoM（质量因数）[1]。新产品是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振（quasi-resonant）有源钳位反激式转换器以及LLC[2]半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效（高达96%）以及输出功率近200W的电源。

该系列先推出的两款产品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源电流分别达到7A和14A，栅电荷量仅为47nC（STW12N150K5）或通态电阻仅为0.9Ω（STW21N150K5）。两款产品均已量产，采用TO-247封装。
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[1]质量因数（FoM, Figure of Merit）是栅电荷量乘以通态电阻。这个参数对电源设计人员来说越小越好。
[2] LLC指“两个电感和一个电容”，是一个宽压AC输入高能效（95%+）的AC-DC转换器拓扑。