百州电子网 » 资讯 » 行业动态 » 正文行业动态 政策法规 国内新闻 国际新闻 

新思科技建全球研发武汉产业园 预计2019年建成投用

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-12-14  

近日,全球领先的半导体设计公司美国新思科技,在武汉未来科技城动建全球研发武汉产业园。

另悉,总投资达1600亿元的长江存储器项目,也将于本月在未来科技城动工。这两大集成电路项目,将引领湖北迈入“硅时代”。

新思科技武汉产业园,是除美国硅谷总部外,新思科技在全球唯一自购土地建设的产业园区,总投资5000万美元,预计2019年建成投用。其定位为“全球化研发及集成电路设计软件培训基地”。

新思科技全球总裁陈志宽表示,近年来,中国集成电路产业发展不断加快,在武汉建设产业园,充分显示了新思科技对湖北市场和人才的高度重视,以及对中国集成电路产业长期增长的信心。

依托强大的全球研发体系,新思科技武汉产业园将开发世界级的知识产权(IP)产品以及信息安全软件,并在光谷与硅谷之间架起一座科技互动的桥梁。对提升湖北乃至华中地区芯片设计行业竞争力、带动产业链相关企业来汉布局、助力中国及亚洲地区集成电路产业快速发展,具有重要意义。

2012年,省委、省政府领导率团访问新思科技总部,提出“双城双谷”战略计划。目前,新思科技已在未来科技城设有研发中心,形成IP产品、软件与安全产品的开发与服务能力。
分享与收藏:  资讯搜索  告诉好友  关闭窗口  打印本文 本文关键字:
 
推荐图文
推荐资讯
最新文章
 

客服热线:0512-65588280 业务传真:0512-65588280   客户服务QQ:3320351630 点击这里给我发消息   投诉QQ:2642742682 点击这里给我发消息