3款采用紧凑型PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件已加入Vishay Intertechnology公司的600V和650V E系列功率MOSFET的阵容。
Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E与SiHJ7N65E可以为采用TO-252（DPAK）封装的MOSFET提供节省空间的替代品，降低照明、工业、电信、计算和消费类应用的封装电感。
这些器件完全符合RoHS指令的要求，无卤素，无铅（Pb）。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸仅为5mm x 6mm，占用的板空间和高度仅为采用TO-252（DPAK）封装的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构可以提升板级可靠性。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术，具有低至0.52Ω（@ 10 V）的最大导通电阻、低至17 nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）。
这些数值会转换成低传导和开关损耗，从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
这些MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
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