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无锡科微半导体有限公司

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图片	标题	价格
	IV2Q12080T4Z 瞻芯电子 IV2Q12080T4Z1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器高阻塞电压与低电阻高	面议
	IV3Q12013T4Z瞻芯电子 IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动高阻塞电压低电阻高速	面议
	IV2Q12017T4Z 瞻芯电子 IV2Q12017T4Z1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动高阻塞电压与低电阻高速开关	面议
	IV1Q12080T4Z 瞻芯电子 IV1Q12080T4Z1200V 80mΩ SiC MOSFET特点高压、低导通电阻高速、寄生电容小高工作结温快速恢复体二极管开尔文连接驱动A	面议
	IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动高阻塞电压低电阻高速	面议
	IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器高阻塞电压与低电阻高	面议
	IV2Q12017T4Z IV2Q12017T4Z1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动高阻塞电压与低电阻高速开关	面议
	IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z1200V 80mΩ SiC MOSFET特点高压、低导通电阻高速、寄生电容小高工作结温快速恢复体二极管开尔文连接驱动A	面议

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