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高压MOS场效应管
标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流
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低压MOS场效应管
单P沟道低压MOS场效应管型号类型V(BR)DSSVGSID25CVGS(th)typPD(W)25CRDS(on)10VRDS(on)4.5VRDS(on)2.5V封装形式替代型号PDFSI230
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N+P沟道MOSFET
N+P沟道MOSFETNCE1205DFN2X2-6L12V5A1.9W12V24mΩNCE1205DFN2X2-6L-12V-5A1.9W-12V50mΩNCE2003SOT-23-6L20V3A0.8W12V
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测温环
陶瓷产品生产中需要精确有效的温度测量,但多数测量在时间和空间上均受到限制.例如,热电偶并不能测量产品本身的温度,而是产品的环
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