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“MOS管YJ2300”参数说明
| 品牌： | 扬晶 | 类型： | 结型场效应管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | 导电方式： | 耗尽型 |
| 型号： | YJ2300 | 规格： | SOT-23 |
| 商标： | 扬晶 | 包装： | 3000PCS一盘 |
| 产量： | 600000000 |
“MOS管YJ2300”详细介绍
MOSFET/场效应管 YJ2300
产品型号：YJ2300
产品封装：SOT-23
产品品牌：扬晶
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:20V
漏极电流（ID）:3.8A
漏源电流脉冲IDM:15A
栅源电压（VGS）: ±10V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.25W
栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
公司本着始终满足客户需求，不懈追求客户满意为服务宗旨，积极倡导“创新、品质、诚信、服务”企业经营理念，实现全员参与、持续改善、客户满意的质量方针，努力为客户创造最大价值, 致力于提供给客户高性价比的产品、高效及时的交货、专业技术支持等全方位服务。并可根据客户提供的产品参数、技术信息等需求，进行产品设计与生产，以满足客户的不同需求。您的满意是我们永远的追求！
产品型号：YJ2300
产品封装：SOT-23
产品品牌：扬晶
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:20V
漏极电流（ID）:3.8A
漏源电流脉冲IDM:15A
栅源电压（VGS）: ±10V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.25W
栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
公司本着始终满足客户需求，不懈追求客户满意为服务宗旨，积极倡导“创新、品质、诚信、服务”企业经营理念，实现全员参与、持续改善、客户满意的质量方针，努力为客户创造最大价值, 致力于提供给客户高性价比的产品、高效及时的交货、专业技术支持等全方位服务。并可根据客户提供的产品参数、技术信息等需求，进行产品设计与生产，以满足客户的不同需求。您的满意是我们永远的追求！
