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深圳市扬晶微电子有限公司

业从事半导体分立器件研发、生产、销售及技术支持制造商

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场效应管 YJ2N60C TO-20F
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产 品: 场效应管 YJ2N60C TO-20F 
需求数量: 0
价格要求: 0.00
包装要求:
所在地: 广东深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2015-05-11 16:32
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详细信息

“高压MOS管2N60C/YJ2N60C”参数说明

品牌: Yj扬晶 类型: 增强型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: P-DIT/塑料双列直插
用途: L/功率放大 导电方式: 增强型
型号: Yj2n60c 规格: To-220f
商标: Yj扬晶 包装: 1000个一盒
耐压: 600V 电流: 2A
产量: 500000000    

“高压MOS管2N60C/YJ2N60C”详细介绍

  场效应管 YJ2N60C TO-20F:

  产品型号:YJ2N60C

  产品封装:TO-20F

  产品品牌:扬晶

  是否环保:无铅环保

  最小包装:10PCS

  N沟道增强型功率MOSFET

  特点:

  YJ2N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

  2A,600V,RDS DS DS(on)(典型值)4Ω

  漏源电压VDS=600V,连续漏电流ID=2A

  栅-源电压VGS=±30V 脉冲漏极电流IDM:2A

  最大功耗PD:45W

  储存温度 Tstg-55~150℃

  漏源反向电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA

  漏源截止电流 IDSS VDS=600V,VGS=0V、

  栅源截止电流 IGSS(F/R)VGS=±30V,VDS=0V

  通态电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=1A

  栅源极开启电压 VGS(th)VDS=VGS,ID=250Μa

  漏二极管正向导通压降 VFSD IS=2A,VGS=0V

  超低导通电阻的高细胞密度设计

  完全表征雪崩电压和电流

  用途:

  功率开关的应用

  开关和高频电路

  不间断电源

  YJ/扬晶原厂直销低压MOS场效应管:

  YJ2300 YJ2301 YJ2302 YJ2303 YJ2304 YJ2305 YJ2306 YJ2307 YJ2312 YJ2314

  YJ2321 YJ2323 YJ3400 YJ3401 YJ3402 YJ3404 YJ3406 YJ3407 YJ3409 YJ3415 YJ3416 YJ435 YJ9435 YJ9926 YJ4953 YJ8205S YJ8205A

  深圳市扬晶微电子有限公司是一家专业生产二三极管系列,高、低压MOS系列,电源管理IC(AC-DC/DC-DC)低压差线性稳压IC,LDO,三端稳压IC 基准源IC,降压,升压IC,电压监测,可控硅,桥式整流器等等。

  我们将热诚提供产品报价与详细资料达成双方价格的共识,免费提供样品测试,接受特殊定制及来料加工,支持开具3%普通税票和17%增值税票!

  本公司售出的所有产品,我们都有专业的QC(质检),一旦出现质量问题,都会及时处理,给您满意的答复,减少您的损失,售后永远都是第一位。可靠的产品质量是给您的承诺!在符合以下几点要求的情况下,您有无条件退货的权利。

  1.客户在收到货物后,须在7个工作日内完成抽样试用;

  2.若有质量问题,请在30天内出示客户检测反馈报告,经本公司技术部确认确实存在质量问题,无上机,无剪脚,可退,可换;

  3.所有涉及退换货的产品,请您务必保留完整原包装。 
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