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IRF640-MOS管-场效应管”详细介绍
IRF640-MOS管-场效应管-MOSFET
概述
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10＾8～10＾9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
主要参数
漏-源电压BVDSS≥200V 漏极电流ID≥18A 导通电阻RDS≤0.18ohm
封装形式
TO-220
包装方式
管装
应用领域
电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等
概述
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10＾8～10＾9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
主要参数
漏-源电压BVDSS≥200V 漏极电流ID≥18A 导通电阻RDS≤0.18ohm
封装形式
TO-220
包装方式
管装
应用领域
电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等
